等離子清洗機(jī)（點(diǎn)擊查看詳情）是利用等離子達(dá)到常規(guī)清洗方法無(wú)法達(dá)到的效果。原理是等離子體是物質(zhì)的一種存在狀態(tài)。通常情況下，物質(zhì)的親水性與解離度物質(zhì)以固態(tài)、液態(tài)和氣態(tài)三種狀態(tài)存在，但在某些特殊情況下，還存在第四種狀態(tài)。例如地球大氣層電離層中的物質(zhì)。處于等離子體狀態(tài)的物質(zhì)有以下幾種：高速運(yùn)動(dòng)的電子；處于活化狀態(tài)的中性原子、分子和原子團(tuán)（自由基）；電離原子和分子；未反應(yīng)的分子、原子等，但物質(zhì)作為一個(gè)整體保持電中性。

不過(guò)，物質(zhì)的親水性與解離度這些元素不像地球上那樣組成固態(tài)、液態(tài)或者氣態(tài)的單質(zhì)、化合物，它們是以等離子體的形式而存在。太陽(yáng)上的溫度極高，表面平均溫度超過(guò)5000攝氏度，而中(心)溫度更是超過(guò) 0萬(wàn)度。在這種極端高溫的環(huán)境中，中性原子無(wú)法存在，電子獲得能量之后會(huì)脫離原子核的束縛，成為自由電子，這就是物質(zhì)的第四態(tài)——等離子態(tài)。等離子體的某些物理性質(zhì)類似于氣體，它們都沒(méi)有固定的形態(tài)。

高真空室內(nèi)的氣體分子被電能激發(fā)，親水性與疏水性會(huì)結(jié)合加速后的電子相互碰撞，使原子和分子的最外層電子被激發(fā)出軌道外，生成反應(yīng)性高的離子或自由基。由此產(chǎn)生的離子和自由基繼續(xù)相互碰撞，并被電場(chǎng)加速。并與材料表面發(fā)生碰撞，破壞原來(lái)幾微米深的分子結(jié)合方式，在孔洞中截?cái)嘁欢ㄉ疃鹊谋砻嫖镔|(zhì)形成精細(xì)凹凸，同時(shí)生成的氣體組分成為反應(yīng)性官能團(tuán)（或官能團(tuán)），在材料表面誘發(fā)物理化學(xué)反應(yīng)因此，可以去除鉆孔污漬，提高鍍銅層的附著力。

印刷包裝低溫等離子清洗設(shè)備實(shí)際上是高科技產(chǎn)品的機(jī)器設(shè)備，物質(zhì)的親水性與解離度非常環(huán)保，環(huán)保，造成其他環(huán)境污染，操作過(guò)程造成其他環(huán)境污染。同時(shí)，低溫等離子清洗設(shè)備印刷包裝清洗設(shè)備也可以與原有的自動(dòng)化生產(chǎn)線相結(jié)合，建立全自動(dòng)化在線生產(chǎn)制造，節(jié)省人工成本。印刷包裝冷等離子處理器的應(yīng)用場(chǎng)景非常廣泛。在包裝設(shè)計(jì)領(lǐng)域，等離子清洗設(shè)備主要可以進(jìn)行UV、層壓、清漆等處理工藝的表面處理。

親水性與疏水性會(huì)結(jié)合

PCB電路板的等離子蝕刻工藝可分為多種等離子蝕刻，這取決于被蝕刻材料的類型、所用氣體的特性以及所需的蝕刻類型。工作溫度和壓力在等離子蝕刻中也起著重要作用。工作溫度和壓力的微小變化可以顯著改變電子碰撞的頻率。 RIE（反應(yīng)離子蝕刻）利用物理和化學(xué)機(jī)制在一個(gè)方向上實(shí)現(xiàn)高水平的表面蝕刻。 RIE 工藝結(jié)合了物理和化學(xué)作用，因此比單獨(dú)的等離子蝕刻要快。

復(fù)合膜的加工采用鋁箔作為復(fù)合阻隔層，需要在鋁箔上加一層PE膜，以保證鋁箔不會(huì)直接接觸包裝中的食品。在該薄膜復(fù)合設(shè)備中，鋁箔經(jīng)等離子體處理后可與PE薄膜緊密結(jié)合。等離子處理器等離子能量，可去除鋁箔表面灰塵、油污等污染物。并且等離子體處理工藝完全可以實(shí)現(xiàn)在線處理。實(shí)踐中，有些用戶采用退火工藝來(lái)達(dá)到上述效果，但與等離子體處理器相比，耗時(shí)耗電。

在等離子體技術(shù)中，氣體排放的分解對(duì)高能電子起著決定性的作用。數(shù)以萬(wàn)計(jì)的高能電子與氣體分子(原子)非彈性碰撞，將能量近似轉(zhuǎn)化為分子(原子)的內(nèi)能、激發(fā)度、電離度、電離度等環(huán)節(jié)，使氣體處于活性狀態(tài)。在低勢(shì)能(< 10eV)下，電子產(chǎn)生活性自由基，在體內(nèi)(化學(xué)化)后，放電分子被等離子體定向鏈?zhǔn)交瘜W(xué)反應(yīng)除去。如果勢(shì)能大于發(fā)射分子化學(xué)鍵的結(jié)合能，分子鍵就會(huì)瓦解，發(fā)射就會(huì)分解。

GaN材料在LED和射頻領(lǐng)域都有得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)。氮化鎵具有高的電離度，出色的擊穿能力、更高的電子密度和電子速度以及更高的工作溫度，且具有低導(dǎo)通損耗、高電流密度等優(yōu)勢(shì)。通常用于微波射頻、電力電子、光電子三大領(lǐng)域。微波射頻包含了5G通信、雷達(dá)預(yù)警、衛(wèi)星通訊等應(yīng)用；電力電子方向包括了智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)電子等應(yīng)用；光電子方向包括了LED、激光器、光電探測(cè)器等應(yīng)用。

親水性與疏水性會(huì)結(jié)合

等離子體通常具有三種粒子：電子、陽(yáng)離子和中性粒子（包括原子、分子、原子團(tuán)等不帶電粒子）。讓它們的密度分別為 ne、ni 和 nn。由于其準(zhǔn)電中性，親水性與疏水性會(huì)結(jié)合電離前氣體分子的密度為 ne ≈ nn。因此，為了測(cè)量等離子體的電離度，我們定義電離度β=ne/(ne+nn)。高溫等離子體在電暈和聚變中的電離度為%，β=1的等離子體稱為完全電離等離子體。